SI5515CDC-T1-GE3

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SI5515CDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI5515CDC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5515CDC-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV

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