SI1539DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.41 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 270 mW
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 630 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI1539DL-T1-E3
型号： SI1539DL-T1-E3
描述：VISHAY SI1539DL-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 2.6 V
替代型号SI1539DL-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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