SIZ340DT-T1-GE3

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SIZ340DT-T1-GE3概述

VISHAY  SIZ340DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous buck battery charging and graphic cards, POL applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

欧时:
### 双 N 通道 MOSFET PowerPAIR®,Vishay Semiconductor与两个分立件相比,高侧和低侧 MOSFET 位于一个紧凑型封装内,同时仍可获得低接通电阻和高电流。### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SIZ340DT-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 30V, 40A, POWERPAIR-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Ch 30V 30/40A PowerPAIR8EP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR T/R


Newark:
# VISHAY  SIZ340DT-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V


SIZ340DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 16.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAIR

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAIR

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIZ340DT-T1-GE3
型号: SIZ340DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ340DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V

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