





VISHAY SI3552DV-T1-E3 场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMD
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
富昌:
N 和 P 沟道 30 V 0.105/0.2 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.15 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 51.0 A
热阻 130℃/W RθJA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
长度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI3552DV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3552DV-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI3552DV-T1-E3和SI3552DV-T1-GE3的区别 |
BSL316C L6327 英飞凌 | 功能相似 | SI3552DV-T1-E3和BSL316C L6327的区别 |