SI5999EDU-T1-GE3中文资料参数规格 技术参数
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2300 mW
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 496pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI5999EDU-T1-GE3 型号: SI5999EDU-T1-GE3
描述:20V,-6A,双P沟道MOSFET