SI5999EDU-T1-GE3

SI5999EDU-T1-GE3图片1
SI5999EDU-T1-GE3图片2
SI5999EDU-T1-GE3图片3
SI5999EDU-T1-GE3图片4
SI5999EDU-T1-GE3图片5
SI5999EDU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual P-Channel

耗散功率 2300 mW

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 496pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

引脚数 8

外形尺寸

高度 0.75 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5999EDU-T1-GE3
型号: SI5999EDU-T1-GE3
描述:20V,-6A,双P沟道MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台