SI5935CDC-T1-GE3

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SI5935CDC-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 8-Pin Chip FET T/R


Allied Electronics:
SI5935CDC-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 20V, 8-Pin 1206 ChipFET


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 8-Pin Chip FET T/R


富昌:
Dual P-Channel 20 V 100 mΩ 11 nC Surface Mount Mosfet - 1206-8 ChipFET


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 8-Pin Chip FET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5935CDC-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -4 A, -20 V, 0.13 ohm, -1.8 V, -400 mV


SI5935CDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.083 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 3.1 W

上升时间 32 ns

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 ChipFET-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.1 mm

封装 ChipFET-8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI5935CDC-T1-GE3
型号: SI5935CDC-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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