SI3552DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3552DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.15 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3552DV-T1-GE3

型号： SI3552DV-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI3552DV-T1-GE3 晶体管, 双N&P沟道

替代型号SI3552DV-T1-GE3

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SI3552DV-T1-GE3

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完全替代

SI3552DV-T1-GE3和SI3552DV-T1-E3的区别

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