SIS990DN-T1-GE3

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SIS990DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2800 mW

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 250pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

高度 1.07 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIS990DN-T1-GE3
型号: SIS990DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.1A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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