SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3图片1
SIA519EDJ-T1-GE3图片2
SIA519EDJ-T1-GE3图片3
SIA519EDJ-T1-GE3图片4
SIA519EDJ-T1-GE3图片5
SIA519EDJ-T1-GE3图片6
SIA519EDJ-T1-GE3图片7
SIA519EDJ-T1-GE3概述

VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV

The is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

.
Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET
.
Typical ESD protection
.
100% Rg tested

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
N / P沟道 20 V 40 mΩ 7.7/12 nC 功率 Mosfet - PowerPAK-SC-70-6L 双


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV


SIA519EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA519EDJ-T1-GE3
型号: SIA519EDJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司