VISHAY SI3900DV-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 20 V, 0.125 ohm, 4.5 V, 600 mV
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
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- TrenchFET® power MOSFET
贸泽:
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH D-S TREN
e络盟:
VISHAY SI3900DV-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 20 V, 0.125 ohm, 4.5 V, 600 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
富昌:
双 N 沟道 20 V 0.125 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# VISHAY SI3900DV-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 2 A, 20 V, 0.125 ohm, 4.5 V, 600 mV
针脚数 6
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
上升时间 30 ns
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
长度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15