SI3590DV-T1-E3

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SI3590DV-T1-E3概述

N和P通道30 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30-V D-S MOSFET

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
N & P 沟道 30 V 0.077/0.170 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6


Newark:
# VISHAY  SI3590DV-T1-E3  Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 600 mV


儒卓力:
**N+P-FET 3/2A 30V TSOP-6 H-free **


SI3590DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.062 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.15 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI3590DV-T1-E3
型号: SI3590DV-T1-E3
描述:N和P通道30 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30-V D-S MOSFET

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