SI6926ADQ-T1-GE3

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SI6926ADQ-T1-GE3概述

VISHAY  SI6926ADQ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

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Halogen-free

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
双 N-沟道 20 V 30 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI6926ADQ-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 400 mV


SI6926ADQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 16 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI6926ADQ-T1-GE3
型号: SI6926ADQ-T1-GE3
描述:VISHAY  SI6926ADQ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V

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