SI9926CDY-T1-GE3

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SI9926CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 NSOIC-8

外形尺寸

封装 NSOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI9926CDY-T1-GE3
型号: SI9926CDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI9926CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V
替代型号SI9926CDY-T1-GE3
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