N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
N / P沟道 40 V 0.0175/0.021 Ω 表面贴装 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4564DY-T1-GE3 Dual MOSFET, N and P Channel, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV
针脚数 8
漏源极电阻 0.0145 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4564DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4563DY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4564DY-T1-GE3和SI4563DY-T1-E3的区别 |