SI4564DY-T1-GE3

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SI4564DY-T1-GE3概述

N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
.
100% Rg Tested
.
100% UIS Tested

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
N / P沟道 40 V 0.0175/0.021 Ω 表面贴装 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4564DY-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV


SI4564DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0145 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4564DY-T1-GE3
型号: SI4564DY-T1-GE3
描述:N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI4564DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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