SI4532ADY-T1-E3

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SI4532ADY-T1-E3概述

N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

.
TrenchFET® power MOSFET
.
100% Rg tested

e络盟:
VISHAY  SI4532ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道+P沟道, 30V, 4.9A, SOIC-8, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
N 和 P 沟道 30 V 0.053/0.08 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


TME:
Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.7/-3A; 1.13/1.2W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4532ADY-T1-E3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 4.5 V, 1 V


SI4532ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 4.90 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.13 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4532ADY-T1-E3
型号: SI4532ADY-T1-E3
描述:N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI4532ADY-T1-E3
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