









N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
e络盟:
VISHAY SI4532ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道+P沟道, 30V, 4.9A, SOIC-8, 整卷
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
N 和 P 沟道 30 V 0.053/0.08 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
TME:
Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.7/-3A; 1.13/1.2W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4532ADY-T1-E3 Dual MOSFET, N and P Channel, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 4.5 V, 1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.13 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4532CDY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4532ADY-T1-E3和SI4532CDY-T1-GE3的区别 |
IRF7319PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4532ADY-T1-E3和IRF7319PBF的区别 |
SI4532ADY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4532ADY-T1-E3和SI4532ADY-T1-GE3的区别 |