SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3图片1
SI7216DN-T1-GE3图片2
SI7216DN-T1-GE3图片3
SI7216DN-T1-GE3图片4
SI7216DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 6.00 A, 5.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7216DN-T1-GE3
型号: SI7216DN-T1-GE3
描述:双N通道40 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 40-V D-S MOSFET
替代型号SI7216DN-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7216DN-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7216DN-T1-E3

威世

类似代替

SI7216DN-T1-GE3和SI7216DN-T1-E3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台