SI7212DN-T1-GE3

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SI7212DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 12 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7212DN-T1-GE3
型号: SI7212DN-T1-GE3
描述:双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET

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