SI4618DY-T1-E3

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SI4618DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1380@Channel 1|2350@Channel 2mW

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 7.40 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOP

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4618DY-T1-E3
型号: SI4618DY-T1-E3
描述:双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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