SI4925DDY-T1-GE3

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SI4925DDY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4925DDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V

The is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% UIS Tested
SI4925DDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 5 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

输入电容Ciss 1350pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Consumer Electronics, Power Management, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, 消费电子产品, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4925DDY-T1-GE3
型号: SI4925DDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4925DDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V
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