漏源极电阻 0.028 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 8 V
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -8.90 A
上升时间 46 ns
下降时间 155 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
