SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3图片1
SIA923EDJ-T1-GE3图片2
SIA923EDJ-T1-GE3图片3
SIA923EDJ-T1-GE3图片4
SIA923EDJ-T1-GE3图片5
SIA923EDJ-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Allied Electronics:
SIA923EDJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, 20 V, 6-Pin SC-70


富昌:
SiA923EDJ 系列 双 P 沟道 20 V 0.054 Ohm 7.8 W Mosfet - PowerPAK SC-70-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA923EDJ-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -500 mV


儒卓力:
**P+P-MOS-FET 4,5A 20V PP-SC70-6 **


SIA923EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 7.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 7.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 2.15 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIA923EDJ-T1-GE3
型号: SIA923EDJ-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台