SI6562CDQ-T1-GE3

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SI6562CDQ-T1-GE3概述

VISHAY  SI6562CDQ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.7 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 600 mV

The is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.

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TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
Si6562CDQ Series 20 V 0.022 Ohm SMT Dual N & P Channel MOSFET - TSSOP-8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI6562CDQ-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 6.7 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 600 mV


SI6562CDQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI6562CDQ-T1-GE3
型号: SI6562CDQ-T1-GE3
描述:VISHAY  SI6562CDQ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.7 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 600 mV
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