SI4830CDY-T1-GE3

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SI4830CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.156 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.9 W

阈值电压 1 V

输入电容 950pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 950pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4830CDY-T1-GE3
型号: SI4830CDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4830CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.1 A, 30 V, 0.156 ohm, 10 V, 1 V

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