N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
双通道 N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Newark:
# VISHAY SI7922DN-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 100 V, 0.162 ohm, 10 V, 2.5 V
漏源极电阻 0.162 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
热阻 77℃/W RθJA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212
长度 3.15 mm
高度 1.04 mm
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI7922DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7922DN 威世 | 类似代替 | SI7922DN-T1-E3和SI7922DN的区别 |