N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
双 N沟道 40 V 0.019 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7288DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 1.2 V
漏源极电阻 0.0156 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 15.6 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 565pF @20VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
长度 5.99 mm
宽度 5 mm
高度 1.07 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI7288DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7958DP-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI7288DP-T1-GE3和SI7958DP-T1-E3的区别 |
SI7958DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7288DP-T1-GE3和SI7958DP-T1-GE3的区别 |