SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3图片1
SI4948BEY-T1-E3图片2
SI4948BEY-T1-E3图片3
SI4948BEY-T1-E3图片4
SI4948BEY-T1-E3图片5
SI4948BEY-T1-E3图片6
SI4948BEY-T1-E3图片7
SI4948BEY-T1-E3图片8
SI4948BEY-T1-E3图片9
SI4948BEY-T1-E3概述

VISHAY  SI4948BEY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

.
TrenchFET® power MOSFET

贸泽:
MOSFET 60V 3.1A 0.12Ohm


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4948BEY-T1-E3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 P 沟道 60 V 0.12 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4948BEY-T1-E3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V


力源芯城:
-60V,双P沟道MOSFET


SI4948BEY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -3.10 A

上升时间 15 ns

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4948BEY-T1-E3
型号: SI4948BEY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4948BEY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
替代型号SI4948BEY-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4948BEY-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI4948BEY-T1-GE3

威世

功能相似

SI4948BEY-T1-E3和SI4948BEY-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台