VISHAY SI4948BEY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
贸泽:
MOSFET 60V 3.1A 0.12Ohm
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
SI4948BEY-T1-E3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
双 P 沟道 60 V 0.12 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4948BEY-T1-E3 Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
力源芯城:
-60V,双P沟道MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -3.10 A
上升时间 15 ns
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SI4948BEY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4948BEY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4948BEY-T1-E3和SI4948BEY-T1-GE3的区别 |