SI7252DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7252DP-T1-GE3概述

VISHAY SI7252DP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 36.7 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a 100V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching and DC/AC inverters applications and also used in synchronous rectification circuits.

.: Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

.: 100% Rg Tested

.: 100% UIS Tested

SI7252DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 46 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号： SI7252DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7252DP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 36.7 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.5 V

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