SI7997DP-T1-GE3

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SI7997DP-T1-GE3概述

双P通道30 V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 30 V D-S MOSFET

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


贸泽:
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
-30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III


富昌:
双 P-沟道 30 V 0.0055 Ohm 46 W 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7997DP-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -60 A, -30 V, 0.0063 ohm, -4.5 V, -1 V


SI7997DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 46 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI7997DP-T1-GE3
型号: SI7997DP-T1-GE3
描述:双P通道30 V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 30 V D-S MOSFET

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