SI7998DP-T1-GE3

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SI7998DP-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
SI7998DP-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 21 A, 30V, 8-Pin PowerPAK SO


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
双 N-沟道 30 V 0.0093 Ohm 40 W 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SI7998DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3600@Channel 1|4000@Channel 2mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 43 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5 mm

高度 1.07 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7998DP-T1-GE3
型号: SI7998DP-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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