SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3图片1
SI4904DY-T1-E3图片2
SI4904DY-T1-E3图片3
SI4904DY-T1-E3图片4
SI4904DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 2390pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4904DY-T1-E3
型号: SI4904DY-T1-E3
描述:双N沟道40 V MOSFET Dual N-Channel 40-V MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台