N沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous rectification application.
e络盟:
# VISHAY SI7214DN-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.0333 ohm, 10 V, 2.1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
双通道 N 沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8
Newark:
# VISHAY SI7214DN-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.6 A, 30 V, 0.0333 ohm, 10 V, 2.1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0333 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
上升时间 10 ns
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
引脚数 8
封装 1212
高度 1.04 mm
封装 1212
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI7214DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7214DN-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7214DN-T1-E3和SI7214DN-T1-GE3的区别 |