SI7214DN-T1-E3

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SI7214DN-T1-E3概述

N沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous rectification application.

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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg tested
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Optimized for high efficiency applications

e络盟:
# VISHAY  SI7214DN-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.0333 ohm, 10 V, 2.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
双通道 N 沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8


Newark:
# VISHAY  SI7214DN-T1-E3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.6 A, 30 V, 0.0333 ohm, 10 V, 2.1 V


SI7214DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0333 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.40 A

上升时间 10 ns

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7214DN-T1-E3
型号: SI7214DN-T1-E3
描述:N沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8
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