VISHAY SI4922BDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
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- TrenchFET® power MOSFET
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- 100% Rg and UIS tested
e络盟:
VISHAY SI4922BDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET; Dual N-Channel 30-V D-S
安富利:
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg and UIS tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
富昌:
双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Newark:
# VISHAY SI4922BDY-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0135 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 2070pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
热阻 50℃/W RθJA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -50℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15