SI7949DP-T1-GE3

针脚数 8

漏源极电阻 80 mΩ

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -5.00 A

上升时间 9 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

高度 1.04 mm

封装 SOIC

包装方式 Tape & Reel TR

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册