SI7236DP-T1-GE3

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SI7236DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 46 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 4000pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 8

外形尺寸

高度 1.04 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI7236DP-T1-GE3
描述:双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET

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