SI4943BDY-T1-E3

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SI4943BDY-T1-E3概述

双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V D-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双通道 P 沟道 20 V 0.019 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4943BDY-T1-E3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -8.4 A, -20 V, 0.016 ohm, -10 V, -1 V


SI4943BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -8.40 A

上升时间 10 ns

热阻 85℃/W RθJA

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4943BDY-T1-E3
型号: SI4943BDY-T1-E3
描述:双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V D-S MOSFET

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