SQ4946AEY-T1_GE3

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SQ4946AEY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

上升时间 3.3 ns

输入电容Ciss 600pF @25VVds

下降时间 2.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ4946AEY-T1_GE3
型号: SQ4946AEY-T1_GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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