SI7904BDN-T1-GE3

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SI7904BDN-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
SI7904BDN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20V, 8-Pin PowerPAK 1212


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
Si7904BDN Series Dual N-Channel 20 V 0.03 Ohms SMT Power Mosfet -PowerPAK 1212-8


Newark:
# VISHAY  SI7904BDN-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 20 V, 45 mohm, 1.8 V, 1 V


SI7904BDN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 860pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 17.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.07 mm

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7904BDN-T1-GE3
型号: SI7904BDN-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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