SIZ300DT-T1-GE3

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SIZ300DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 16.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 3X3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.75 mm

封装 3X3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIZ300DT-T1-GE3
型号: SIZ300DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ300DT-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 11A, POWERPAIR-8

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