SP8M51TB1

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SP8M51TB1概述

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 100V 3A,2.5A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8


贸泽:
MOSFET Nch+Pch 100V/-100V 3A/-2.5A; MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 100V ±3A/±2.5A 8-Pin SOP T/R


富昌:
NCH/PCH, 100v, 170mohms/290mohms,so-8


儒卓力:
**N+P-CH 100V +/-3A 180mOhm SOP8 **


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 100V SOP8


Win Source:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8


SP8M51TB1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 100 V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SP8M51TB1
型号: SP8M51TB1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

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