SIZ900DT-T1-GE3

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SIZ900DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAIR

外形尺寸

封装 PowerPAIR

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIZ900DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ900DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 24 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

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