SIZ920DT-T1-GE3

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SIZ920DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAIR

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 6.1 mm

高度 0.8 mm

封装 PowerPAIR

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIZ920DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ920DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

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