SI4288DY-T1-GE3

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SI4288DY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4288DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N-沟道 40 V 20 mΩ 2 W 表面贴装 TrenchFET Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4288DY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V


SI4288DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4288DY-T1-GE3
型号: SI4288DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4288DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V
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