VISHAY SI4288DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
双 N-沟道 40 V 20 mΩ 2 W 表面贴装 TrenchFET Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4288DY-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0165 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 40 V
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4288DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4910DY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4288DY-T1-GE3和SI4910DY-T1-GE3的区别 |