SP8M10TB参数规格_中文资料_数据手册PDF

SP8M10TB概述

SOP N+P 30V 7A/4.5A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 7A，4.5A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8-Pin SOP T/R

SP8M10TB中文资料参数规格

技术参数

额定电流 7.00 A

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8M10TB

型号： SP8M10TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 30V 7A/4.5A