SI8902EDB-T2-E1

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SI8902EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.072 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 6

封装 BGA

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 BGA

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI8902EDB-T2-E1
型号: SI8902EDB-T2-E1
描述:双向N通道20 -V (D -S )的MOSFET Bi-Directional N-Channel 20-V D-S MOSFET

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