SI4948BEY-T1-GE3

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SI4948BEY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4948BEY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V

The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

.
Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4948BEY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Si4948BEY 系列 双 P沟道 60 V 120 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet-SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4948BEY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V


儒卓力:
**DUAL -60V 3A 120mOhm SO-8 **


SI4948BEY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.4 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -2.40 A

上升时间 15 ns

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4948BEY-T1-GE3
型号: SI4948BEY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4948BEY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V
替代型号SI4948BEY-T1-GE3
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