SI7980DP-T1-GE3

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SI7980DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7980DP-T1-GE3
型号: SI7980DP-T1-GE3
描述:双N通道20 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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