SQJ960EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 Dual N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 1.5 V, 1.5 V
漏源击穿电压 ±60 V
输入电容Ciss 587pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
长度 5.25 mm
宽度 4.47 mm
高度 1.14 mm
封装 PowerPAKSO-8L-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SQJ960EP-T1_GE3
型号： SQJ960EP-T1_GE3
描述：N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor