SI6968BEDQ-T1-E3

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SI6968BEDQ-T1-E3概述

VISHAY  SI6968BEDQ-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 20V, 5.2A, TSSOP-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
双 N沟道 20 V 0.022 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSSOP-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI6968BEDQ-T1-E3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.2 A, 20 V, 0.0165 ohm, 4.5 V, 600 mV


SI6968BEDQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 330 ns

热阻 83℃/W RθJA

下降时间 510 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

长度 4.5 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6968BEDQ-T1-E3
型号: SI6968BEDQ-T1-E3
描述:VISHAY  SI6968BEDQ-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 20V, 5.2A, TSSOP-8

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