SIZ790DT-T1-GE3

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SIZ790DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 27 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAIR-6x3

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 3.7 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAIR-6x3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIZ790DT-T1-GE3
型号: SIZ790DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ790DT-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 16A, POWERPAIR-6

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