VISHAY SI4904DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter applications.
e络盟:
VISHAY SI4904DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
Dual N-Channel 40 V 16 mΩ 56 nC SMT TrenchFET® Power Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4904DY-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 2 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 2390pF @20VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
高度 1.5 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15