SI4904DY-T1-GE3

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SI4904DY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4904DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

e络盟:
VISHAY  SI4904DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Dual N-Channel 40 V 16 mΩ 56 nC SMT TrenchFET® Power Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4904DY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 2 V


SI4904DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 2390pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4904DY-T1-GE3
型号: SI4904DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4904DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V

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